| 型号： | IPB65R190C6 | RoHS： | 无铅 / 符合 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | Infineon Technologies | 描述： | MOSFET N-CH 650V 20.2A TO263 |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| IPB65R190C6 PDF |  |
| 标准包装 | 1,000 |
| 系列 | CoolMOS™ |
| FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 20.2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 190 毫欧 @ 7.3A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 3.5V @ 730µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 73nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1620pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 151W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 供应商设备封装 | PG-TO263 |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | IPB65R190C6-ND IPB65R190C6ATMA1 SP000863890 |